William Bradford Shockley
Físico estadounidense
William Shockley nació el 13 de febrero de 1910 en Londres.
Hijo de estadounidenses, cuando tenía tres años, se trasladó junto a su familia a Palo Alto, California. Su padre era ingeniero y su madre, topógrafa de minas.
No asistió a la escuela hasta que cumplió ocho años.
En el otoño de 1927, ingresó en la Universidad de California en Los Ángeles y, un año después, en el prestigioso Instituto de Tecnología de California (Caltech), en Pasadena. Obtuvo su licenciatura en física en 1932 y posteriormente una beca para estudiar en el Instituto Tecnológico de Massachusetts (MIT), donde se doctoró en 1936.
Trabajó en los laboratorios de la Compañía Bell de 1936 a 1956. Fue director de la SShockley Semiconductor Laboratory.
Impartió conferencias en la Universidad de Stanford desde 1958 y clases de ingeniería en 1963.
Su investigación sobre los semiconductores lo llevó al desarrollo del transistor en 1948.
En 1956 recibió el Premio Nobel de Física por sus investigaciones acerca de los semiconductores y el descubrimiento del efecto transistor, galardón que compartió con sus colegas John Bardeen y Walter H. Brattain. Además, realizó diversas contribuciones en el campo de la electrónica y áreas afines, acumulando más de 90 patentes a lo largo de su vida.
En sus ratos libres, disfrutaba del alpinismo y escaló algunas de las montañas más altas de los Alpes, incluyendo la Jungfrau y el Mont Blanc, este último junto a su hija Alison en 1953.
William Shockley falleció el 12 de agosto de 1989 a los 79 años, a causa de un cáncer de próstata, en su casa ubicada en el campus de Stanford.
